積層陶瓷電容的制造工藝流程

積層陶瓷電容的生產(chǎn)過(guò)程高度自動(dòng)化,主要包含以下幾個(gè)關(guān)鍵步驟:

核心制造環(huán)節(jié)

  1. 漿料制備:將陶瓷粉體(如鈦酸鋇)與有機(jī)粘合劑混合,制成均勻的漿料。
  2. 流延成型:將漿料通過(guò)刮刀在基帶上連續(xù)涂布,形成薄層陶瓷膜。
  3. 絲網(wǎng)印刷電極:在陶瓷膜上精確印刷金屬電極圖案,通常使用銀或鎳漿料。
  4. 疊層與壓制:將數(shù)十至數(shù)百層陶瓷膜與電極膜交替疊放,并施加壓力形成整體坯體。
  5. 高溫?zé)Y(jié):在1200℃以上進(jìn)行燒結(jié),使陶瓷致密化并實(shí)現(xiàn)電極與介質(zhì)的結(jié)合。
  6. 端電極處理:在表面鍍鎳、銅、錫等金屬,增強(qiáng)焊接性能與抗氧化能力。
  7. 測(cè)試與分選:對(duì)成品進(jìn)行電容值、漏電流、耐壓等參數(shù)檢測(cè),按規(guī)格分類。

如何正確選擇積層陶瓷電容?

面對(duì)市場(chǎng)上眾多規(guī)格的積層陶瓷電容,合理選型至關(guān)重要。

選型關(guān)鍵參數(shù)

  • 電容值(Capacitance):根據(jù)電路需求選擇合適容量,常見(jiàn)范圍為1pF~100μF。
  • 額定電壓(Voltage Rating):應(yīng)至少高于實(shí)際工作電壓的1.5倍以確保安全。
  • 溫度特性(Class I / Class II):Class I(如C0G/NP0)適用于高精度振蕩電路;Class II(如X7R/X5R)適合一般濾波與去耦。
  • 封裝尺寸:從0402到2220等多種尺寸可選,需兼顧空間與散熱需求。
  • 可靠性等級(jí):軍工級(jí)或車規(guī)級(jí)產(chǎn)品需滿足AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)。

當(dāng)前市場(chǎng)格局與挑戰(zhàn)

全球積層陶瓷電容市場(chǎng)由日本村田(Murata)、TDK,韓國(guó)三星電機(jī),以及中國(guó)風(fēng)華高科、三環(huán)集團(tuán)等企業(yè)主導(dǎo)。近年來(lái),受中美貿(mào)易摩擦與供應(yīng)鏈重構(gòu)影響,國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速,國(guó)內(nèi)廠商在中低端市場(chǎng)已具備較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力。

然而,高端產(chǎn)品仍面臨材料配方、精密制造設(shè)備依賴進(jìn)口等問(wèn)題。未來(lái)突破點(diǎn)在于自主研發(fā)高性能陶瓷粉體與先進(jìn)燒結(jié)技術(shù)。